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“变组分晶体生长炉”装备研制项目通过验收

2012年8月9日,中国科学院计划财务局组织专家对上海硅酸盐研究所承担的院科研装备研制项目“变组分晶体生长炉”进行了现场验收。验收专家组听取了项目组的研制报告、用户报告、财务报告和测试报告,现场考察了装置的运行情况,审查了文件档案,认为项目完成了实施方案中规定的各项任务,达到了规定的技术指标要求。专家组一致同意通过验收。

该晶体生长设备在国内属于首次研制,国外也未见同类产品,与国外双坩埚加料自动生长炉相比,具有组分控制精度高、温度梯度调节范围宽、适应性强的优点,尤其是采用具有自主知识产权的生长方法——双坩埚排液法,将关键的晶体质量指标——组分控制精度提高了一个数量级。目前,利用该设备已成功的生长出φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体(SLN),成分均匀性优于0.002mol%/cm。该设备的研制完成,将为生长掺杂杂质偏析系数不等于1的掺杂晶体等变组分晶体提供了条件,可实现变组分晶体的高组分均匀性生长。

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