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深紫外激光光致发光光谱仪验收会顺利召开

2012年5月8日,中科院计划财务局组织专家对半导体所承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”子项目“深紫外激光光致发光光谱仪”进行了现场验收。专家组听取了项目组的研制工作报告、用户使用报告、财务组的财务审查报告及测试组的测试报告,现场检查了设备的运行情况。专家组认为,该项目研制的深紫外激光光致发光光谱仪的仪器指标达到了项目任务书目标和要求,完成了预定的研制任务项目经费使用合理,验收资料完整,一致同意通过验收。

“深紫外激光光致发光光谱仪”具有最稳态发射光谱和时间分辨光谱测量功能,将用于AlN、BeZnO、BN、金刚石等超宽带隙半导体材料以及其它发光波长在深紫外区材料物理研究和光学性质表征。该光致发光光谱仪的应用,将突破目前无法对超宽带半导体材料的光学性质进行深入研究的窘境,澄清上述材料中尚未解决的诸多基本物理问题,为超宽带隙半导体材料的材料物理研究做出贡献,进而对尚处于探索阶段的材料生长研究起到有力的推动作用,使我国在超宽禁带半导体材料研究领域走在国际前列。

为了推动我国科研装备自主研制,探索国家财政对科研装备自主创新的支持方式,“十一五”期间,财政部安排专项资金在中科院开展了“国家重大科研装备自主研制试点”工作。“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”是2007年启动实施的重大科研装备研制项目,半导体所承担了其中的“深紫外激光光致发光光谱仪”子项目。

 

专家现场考察深紫外激光光致发光光谱仪

 

深紫外激光光致发光光谱仪验收会

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